氮化镓

氮化镓简介

氮化镓，分子式GaN，英文称号Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种间接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起罕用在发光二极管中。此化合物结构相似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不经常使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，发生紫光（405nm）激光。

氮化镓百科

氮化镓，分子式GaN，英文称号Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种间接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起罕用在发光二极管中。此化合物结构相似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不经常使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，发生紫光（405nm）激光。

分解方法

1、即使在1000℃氮与镓也不间接反响。在氨气流中于1050～1100℃下加热金属镓30min可制得蓬松的灰色粉末状氮化镓GaN。参与碳酸铵可提供气体以搅动液态金属，并促使与氮化剂的接触。

2、在枯燥的氨气流中焙烧磨细的GaP或GaAs也可制得GaN。