美国国度 半导体 公司 （Naonal Semonductor Corporation）的2.Hz全差分 加大器 及另一款10位、2GSPS单通道/1GSPS双通道 模拟 /数字 转换器 。只要将这两款 芯片 搭配在一同，便可确保宽带系统能以极低的功耗施展史无前例的灵活系统级性能。该 信号 门路芯片组合最实用于地对空雷达系统、数据采集系统、点对点基站及新一代机顶盒运行。
型号为10D1000的该款模拟/数字转换器当输入频率为248MHz时，无杂散信号灵活范围（SFDR）可高达66dBc，到达业界最高水平，且有效位数（ENOB）则高达9.1位。该款芯片只要单电源 供电 ，便可施展无可比拟的性能，且总功耗只要2.8W，比同级的模拟/数字转换器低33%。型号为 LMH6554的一款2.5GHz全差分宽带加大器可驱动10位C10D1000芯片，且性能优于同级竞争 产品 ，例如，即使输入频率高达800MHz，增益平整度仍可高达0.1dB，若输入频率为250MHz，无杂散信号灵活范围可达72dBc，而输入电压噪声则低至0.9nV/sqrt Hz，优于其余竞争产品。
因为这两款芯片具有优秀的功率/性能比个性，美国国度半导体将这两款芯片列为PowerWise® 系列的高动力效率产品之一。ADC10D1000芯片启动每次转换时，只要耗用2.52pJ的功率，与此同时，LMH6554芯片的功耗则只要21uA/MHz。
最高性能、最低功耗的1GSPS以上模拟/数字转换器
ADC10D1000芯片的无杂散信号灵活范围（SFDR）及有效位数（ENOB）均优于竞争产品，因此无论在第一、二及三尼奎斯特域内，该款芯片都可施展出色的性能，确保宽带系统的模拟信号均可所有转换为 数字信号 。不时以来，此类宽带系统必定驳回窄带模拟/数字转换器才可允许高分辨率的采样操作。以新一代的高分辨率雷达系统为例，即使此类系统增加并行通道的数目，也可将相反带宽的模拟信号转换为数字信号。该设计可以大幅增加电路板的面积，并降落系统功耗。因为ADC10D1000芯片的功耗极低（2.8W），因此系统无需加设散热器，令产品可以更小巧轻捷，而且即使没有散热器，系统也可在摄氏-40度至85度的 工业 级温度范围内上班。
如以高达1GSPS的规范速度启动采样，ADC10D1000芯片可将一组两路模拟输入信号转换为数字信号，若采样速度提高至2GSPS，则可转换一路模拟输入信号。该款芯片还具有其余性能，例如不同芯片智能同步，另外还可为每一通道提供可 编程 增益及偏置调整。此外，因为该款芯片内置跟踪和坚持加大器及宽范围自我校准电路，因此即使在尼奎斯特域之外，一切灵活 参数 都保障会取得极为平整的照应，令误码率可以大幅降至10（-18）。ADC10D1000芯片驳回散热才干更强、共有292个球体的BGA封装（分为含铅或不含铅两个版本）。
性能最高的1GHz以上全差分加大器
LMH6554芯片是一款全差分2.5GHz加大器，具有极高的信号保真度，最适宜用来驱动8至16位的高速模拟/数字转换器。因为此款芯片可以提供极低阻抗的差分输入，因此可以驱动模拟/数字转换器输入端及任何两边滤波级。该款LMH6554芯片若以2V的峰峰值输入电压驱动低至200-Ohm的负载，即使频率高达75MHz，仍可施展出色的 16位线性性能。此外，该款LMH6554芯片还内置可外部设定增益的 电阻 ，并可提供共模反应电压，因此实用于差分至差分或单端至差分的系统性能。该款加大器的大信号带宽高达1.8GHz，噪声值则低至8dB，且压摆率则高达6200V/us。
该款LMH6554芯片驳回美国国度半导体全新的CBC8硅绪（SiGe）互补双极CMOS工艺技术制造。CBC8工艺技术是目前业界最先进的模拟工艺技术之一，其特点是将SiGe NPN 和 PNP两种 晶体管 及低功率CMOS晶体管集成在一同，成为共同的单芯片工艺技术，确保芯片可以充散施展速度、线性体现、电路密度、低功率及低噪声等方面的好处，以满足高速模拟运行的严厉要求。该款LMH6554芯片可在摄氏-40度至125 度的宽温度范围内启动操作。在封装方面，该款芯片驳回小巧且散热才干更强的14引脚FCOL封装。
可以缩短信号门路开发期间的参考设计电路板及设计工具
内置ADC10D1000芯片、LMX2531 时钟 源及芯片的该款参考设计电路板可与美国国度半导体的全新 WaveVision 5 软件间接衔接在一同，以便简化评价环节。WaveVision 5 系统是一种简便易操作的剖析工具，用以协助用户评价美国国度半导体的信号门路产品。例如，ADC10D1000芯片可与LMH6554加大器、LMX2531单芯片锁相环、压控 振荡器 或美国国度半导体LMK00系列中的一款时钟去抖芯片搭配一同，组成一个完整的的信号门路处置打算。